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crystals and some application to radiation damage studies出井 数彦; 西田 雄彦; 古野 茂実; 大津 仁; 桑原 茂也*
Proc.of 9th Int.Congress of Electron Microscopy, p.292 - 293, 1978/00
シリコン、ゲルマニウムの結晶構造像撮影のための最適条件を電子光学的に検討し、色収差、ビームの発散角などを考慮したn-slice理論による結像計算の結果を報告する。これらの結晶構造像を照射損傷の研究に応用した例として、ゲルマニウム中の転位のダイポール、核分裂片照射により生ずる大型スパイク領域、MoS結晶中の核分裂片の飛跡の高分觧能電顕観察の結果とその像觧釈上の問題点について述べる。
出井 数彦; 古野 茂実; 大津 仁; 西田 雄彦; 前田 裕司
Proc.of 9th Int.Congress of Electron Microscopy, p.354 - 355, 1978/00
電子照射による結晶の損傷形成の異方性は従来主として、原子のはじき出しエネルギーの異方性にのみ着目して実験およびその觧析がおこなわれて来たが、吾々は他のもう一つの原因、即ち電子チンネリング効果を多波理論に基づいて検討し、軸方向入射の場合の、原子変位に有効な電子線束の異常な増加を計算により求めた。今回は超高圧電顕を用いて、電子の入射方向をMo結晶の
100
110111の三つの軸方向とそれから~10
radづつ段階的にずらした場合の欠陥形成率の変化を測定し、前の理論的予測の実証を行った。またはじき出しエネルギーについても超高圧電顕による測定を行い従来の電気抵抗測定によるデータと比較した。